Detector de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de arseniură de galiu

Abstract

Este propus procedeul tehnologic pentru fabricarea fotodetectorului de radiație infraroșie în baza unui singur nanofir de GaAs cu o sensibilitate înaltă și caracteristici dinamice bune, obținut prin corodarea electrochimică cost-efectivă a plachetei de GaAs, ce nu necesită echipamente sofisticate și costisitoare. Corodarea electrochimică se efectuează la temperatura camerei într-un electrolit de 1M HNO3. Un design special al contactelor ohmice de Cr/Au la capetele nanofirului de GaAs a fost aplicat prin litografie cu fascicul laser. Problema rezolvată prin invenția dată constă în elaborarea unui fotodetector de radiație infraroșie cu un fotorăspuns de ordinul a 100 mA/W și care poate fi încorporat pe o mare varietate de substraturi.