Procedeu de obținere a mai multor rețele de pori independente în substrat semiconductor pentru aplicații fluidice

Abstract

Două rețele de pori au fost produse prin anodizarea suprafeței plachetei semiconductoare acoperite cu o mască care conține găuri: (i) o rețea de pori primari, care se propagă sub mască într-o direcție paralelă cu suprafața probei și perpendicular pe marginea la mască; (ii) o rețea de pori secundari, care se propagă inițial în orificiul măștii în direcții radiale și ulterior își schimbă direcția de propagare în direcția porilor primari. Avantajele procedeului propus constau în posibilitatea obtinerii mai multor retele de pori independente în aceeași regiune folosind echipamente accesibile și tehnologii cost-efective.