Please use this identifier to cite or link to this item: http://cris.utm.md/handle/5014/1461
Title: Process for obtaining heterostructures with wide-bandgap nanowires on narrow-bandgap semiconductor substrate
Authors: MONAICO, Eduard V. 
URSAKI, Veaceslav 
TIGINYANU, Ion 
Keywords: Heterostructuri, semiconductori, tratament termic
Issue Date: 2022
Conference: Inventica 2022
Abstract: 
Propunem fabricarea heterostructurilor din nanofire semiconductoare cu banda interiză largă (Eg) (de exemplu din Ga2O3 cu Eg = 4,9 eV, sau In2O3 cu Eg ~ 3 eV) pe suport semiconductor cu banda interiză îngustă cu conductivitate termică bună () (GaAs cu Eg = 1,44 eV și  = 52 W/m•K sau InP cu Eg = 1,34 și = 68 W/m•K). Procesul tehnologic constă din 2 pași: (i) anodizarea substratelor semiconductoare cu formarea nanofirelor, (ii) tratamentul termic la parametri optimizați ce asigură oxidarea selectiva doar a nanofirelor.
URI: http://cris.utm.md/handle/5014/1461
Appears in Collections:01-Gold Medals

Files in This Item:
File Description SizeFormat
Inventica_2022_Gold_Monaico E..pdf7.83 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.