Please use this identifier to cite or link to this item:
http://cris.utm.md/handle/5014/1461
Title: | Process for obtaining heterostructures with wide-bandgap nanowires on narrow-bandgap semiconductor substrate | Authors: | MONAICO, Eduard V. URSAKI, Veaceslav TIGINYANU, Ion |
Keywords: | Heterostructuri, semiconductori, tratament termic | Issue Date: | 2022 | Conference: | Inventica 2022 | Abstract: | Propunem fabricarea heterostructurilor din nanofire semiconductoare cu banda interiză largă (Eg) (de exemplu din Ga2O3 cu Eg = 4,9 eV, sau In2O3 cu Eg ~ 3 eV) pe suport semiconductor cu banda interiză îngustă cu conductivitate termică bună () (GaAs cu Eg = 1,44 eV și = 52 W/m•K sau InP cu Eg = 1,34 și = 68 W/m•K). Procesul tehnologic constă din 2 pași: (i) anodizarea substratelor semiconductoare cu formarea nanofirelor, (ii) tratamentul termic la parametri optimizați ce asigură oxidarea selectiva doar a nanofirelor. |
URI: | http://cris.utm.md/handle/5014/1461 |
Appears in Collections: | 01-Gold Medals |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Inventica_2022_Gold_Monaico E..pdf | 7.83 MB | Adobe PDF | View/Open |
Google ScholarTM
Check
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.